5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.59 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1.2 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6492-DC | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL SCHOTTKY RECTIFIER |
|
| 1N6492-JQRS | SEME-LAB |
获取价格 |
HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIER |
|
| 1N649A | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON GENERAL PURPOSE DIODE |
|
| 1N649BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N649BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N649LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N649M | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7, |
|
| 1N649R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N649TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N649TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
