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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.16 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 5 Ω | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.5 W | 标称参考电压： | 5.6 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | PURE MATTE TIN OVER COPPER |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 45 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6492 | SEME-LAB |
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HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N6492 | MICROSEMI |
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HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIERS |
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| 1N6492-DA | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N6492-DA-JQRS | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N6492-DC | SEME-LAB |
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DUAL SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N6492-JQRS | SEME-LAB |
获取价格 |
HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N649A | NJSEMI |
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SILICON GENERAL PURPOSE DIODE |
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| 1N649BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
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| 1N649BKLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N649LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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