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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-13 |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 14.1 V |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-202AA | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 12 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MPT-12 | MICROSEMI |
完全替代  |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
| ICT-12 | MICROSEMI |
完全替代 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6359C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6359CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6359CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6359E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6359E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6359MPT-12 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6359MPT-12C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
|
| 1N6359PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| 1N6359TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N636 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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