5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 21.2 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 25.2 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 18 V |
| 最大反向电流： | 2 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6361C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6361CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6361CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N6361CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6361E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6361E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6361MPT-18C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
|
| 1N6361TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Unidirectional, |
|
| 1N6362 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
| 1N6362 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
