5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| 击穿电压标称值： | 14.1 V | 最大钳位电压： | 16.5 V |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 12 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6359CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6359CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6359E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6359E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6359MPT-12 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| 1N6359MPT-12C | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
|
| 1N6359PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| 1N6359TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N636 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
|
| 1N6360 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
