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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.88 |
| 击穿电压标称值： | 14.1 V | 最大钳位电压： | 16.5 V |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 12 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6359CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6359CTR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6359E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6359E3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6359MPT-12 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6359MPT-12C | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
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| 1N6359PBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6359TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N636 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N6360 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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