5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-35 | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.46 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 45 Ω | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 参考标准： | MIL-19500/437E | 标称参考电压： | 9.1 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 1% |
| 工作测试电流： | 1 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5529D-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5529D-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5529D7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| 1N5529DCO | AEROFLEX |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
|
| 1N5529DE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5529DTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5529DUR | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
| 1N5529DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5529DUR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5529DUR-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
