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1N5530

更新时间: 2024-09-25 22:37:39
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试局域网
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-35

1N5530 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.3
Is Samacsys:N其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT, LOW ZENER NOISE, LOW ZENER IMPEDANCE, LOW VOLTAGE AVALANCHE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:60 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:10 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:20%工作测试电流:1 mA
Base Number Matches:1

1N5530 数据手册

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