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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 60 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-204AH | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 10 V | 最大反向电流： | 0.05 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 1 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5530A-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5530A-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5530A-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5530A-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| 1N5530ACO | AEROFLEX |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
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| 1N5530AD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| 1N5530AD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N5530AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5530AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5530ATR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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