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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-35 | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-204AH | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 标称参考电压： | 9.1 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 1% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5529D-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5529D7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N5529DCO | AEROFLEX |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
|
| 1N5529DE3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5529DTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5529DUR | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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| 1N5529DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5529DUR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5529DUR-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL |
|
| 1N5529DUR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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