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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.25 |
| 其他特性： | METALLURGICAL BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 26 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 3.3 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 20% |
| 工作测试电流： | 20 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5518-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM |
|
| 1N5518-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL |
|
| 1N5518A | GOOD-ARK |
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0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES |
|
| 1N5518A | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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| 1N5518A | NJSEMI |
获取价格 |
LOW VOLTAGE AVALANCHES SILICON OXIDE PASSIVATED ZENER REGULATOR DIODES |
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| 1N5518A | AEROFLEX |
获取价格 |
3.3V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N5518A | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS |
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| 1N5518A-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5518A-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL |
|
| 1N5518A-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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