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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5518B-1 | CDI-DIODE |
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LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
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| 1N5518B-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5518B-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME |
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| 1N5518B-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5518BCO | AEROFLEX |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DIE-1 |
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| 1N5518BTR | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5518BTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5518BTRLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5518BTRPBFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, |
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| 1N5518BUR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
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