是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-213AA | 包装说明: | O-LELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
标称参考电压: | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5518BUR-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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1N5518BURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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1N5518BURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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1N5518C | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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1N5518C | GOOD-ARK |
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0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES |
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1N5518C | NJSEMI |
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Diode Zener Single 3.3V 2% 400mW 2-Pin DO-35 |
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1N5518C | CENTRAL |
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3.3V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level Tight Tolerance |
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1N5518C-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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1N5518C-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
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1N5518C-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
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