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1N5518CE3

更新时间: 2024-01-12 02:14:40
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

1N5518CE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-35包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.16Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:26 ΩJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:3.3 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N5518CE3 数据手册

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1N5518CE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANS1N6312C MICROSEMI

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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS,
1N5518C-1TR MICROSEMI

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1N5518CUR-1E3 MICROSEMI

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1N5518CUR-1E3TR MICROSEMI

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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL
1N5518CURE3TR MICROSEMI

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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL
1N5518CURTR MICROSEMI

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Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS
1N5518CURTR-1 MICROSEMI

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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW