5秒后页面跳转
1N5518D PDF预览

1N5518D

更新时间: 2024-09-10 13:47:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
1页 106K
描述
3.3V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level Tight Tolerance

1N5518D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.32
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:26 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1%
工作测试电流:20 mA

1N5518D 数据手册

  

1N5518D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5518DE3 MICROSEMI

功能相似

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME
1N5518D-1TR MICROSEMI

功能相似

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA

与1N5518D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5518D-1 MICROSEMI

获取价格

Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
1N5518D-1E3TR MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME
1N5518D-1TR MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N5518D7 MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional
1N5518D7E3 MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional,
1N5518DBK CENTRAL

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N5518DD7E3 MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional,
1N5518DE3 MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME
1N5518DTR MICROSEMI

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N5518DTR-1 MICROSEMI

获取价格

Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes