是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DO-7 | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.45 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 26 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-7 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 3.3 V |
最大反向电流: | 5 µA | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | -2.31 mV/ °C | 最大电压容差: | 10% |
工作测试电流: | 20 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5518A-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
1N5518A-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL | |
1N5518A-1TR | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
1N5518AD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional | |
1N5518AD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, | |
1N5518ALEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N5518ATR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
1N5518AUR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW | |
1N5518AUR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes | |
1N5518AUR-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERM |