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1N5406-BC02

更新时间： 2024-11-24 14:39:07

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	103K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD, 2 PIN

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1N5406-BC02 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-201AD	包装说明：	DO-201AD, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.08	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5406-BC02 数据手册

M C C

1N5400-BC02

THRU

1N5408-BC02

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Low Current Leakage

Metalurgically Bonded Construction

Low Forward Voltage

3 Amp Rectifier

50 to 1000 Volts

High Current Capability

Maximum Ratings

DO-201AD

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

1N5400-BC02

1N5401-BC02

1N5402-BC02

1N5404-BC02

1N5406-BC02

1N5407-BC02

1N5408-BC02

---

35V

70V

140V

50V

100V

200V

280V

420V

560V

700V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

3.0A

T_A= 105°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

200A

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

Maximum

INCHES

MIN

.590

.290

---

MIN

15.0

7.37

---

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.0V

I_FM= 3.0A;

T_J= 25°C*

DIM

MAX

NOTE

.630

.310

.370

.250

.052

16.0

7.87

9.50

6.40

1.30

---

.048

---

1.20

5.0mA

50mA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Typical Junction

Capacitance

C_J

40pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

Revision: 3

2002/12/31

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N5406-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
1N5406E	HY	获取价格	Plastic Silicon Rectifiers
1N5406-E3	VISHAY	获取价格	General Purpose Plastic Rectifier
1N5406-E3/100	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5406-E3/4E	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5406-E3/4F	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5406-E3/4G	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5406-E3/4H	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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