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1N458AT50R

更新时间： 2024-11-15 05:20:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

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技术参数
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1N458AT50R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.7	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N458AT50R 数据手册

1N/FDLL 456/A - 1N/FDLL 459/A

COLOR BAND MARKING

DEVICE

1ST BAND 2ND BAND

FDLL456

BROWN

WHITE

BLACK

BROWN

RED

FDLL456A BROWN

FDLL457 RED

FDLL457A RED

FDLL458 RED

FDLL458A RED

FDLL459 RED

LL-34

THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP

HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION

OF THE CATHODE TERMINAL

DO-35

FDLL459A RED

RED

High Conductance Low Leakage Diode

Sourced from Process 1M. See MMBD1501/A-1505/A for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

125

175

200

456/A

457/A

458/A

459/A

I_O

Average Rectified Current

DC Forward Current

I_F

500

600

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

i_f(surge)

1.0

4.0

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

1N / FDLL 456/A - 459/A

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25 C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

3.33

300

mW/ C

R_θ

C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N458ATR	FAIRCHILD	获取价格	Maximum Repetitive Reverse Voltage
1N458ATR	ONSEMI	获取价格	高电导、低泄漏二极管
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1N458M	ETC	获取价格	silicon diode
1N458R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon,
1N458T26A	TI	获取价格	0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N458T26A	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N458T26R	TI	获取价格	0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N458T50A	TI	获取价格	0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35