是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.13 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.4 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N459TR | FAIRCHILD |
类似代替 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, | |
1N459ATR | FAIRCHILD |
类似代替 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, | |
1N459_T50R | FAIRCHILD |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N459.TR | FAIRCHILD |
获取价格 |
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode | |
1N459.TR | TI |
获取价格 |
0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | |
1N459/A | ETC |
获取价格 |
LOW LEAKAGE DIODES | |
1N459_0412 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Diode | |
1N459_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE | |
1N459_T50R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, | |
1N4590 | NJSEMI |
获取价格 |
General Purpose Rectifier | |
1N4590 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
1N4590E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
1N4590F | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 150A, 400V V(RRM), |