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1N459TR PDF预览

1N459TR

更新时间： 2024-11-14 21:06:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35,

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1N459TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-35
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.13
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N459TR 数据手册

 浏览型号1N459TR的Datasheet PDF文件第2页 
December 2004  
1N459/A  
Small Signal Diode  
DO-35  
Color Band Denotes Cathode  
Absolute Maximum Ratings *  
T
= 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
200  
Unit  
V
V
RRM  
F(AV)  
FSM  
I
I
500  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
T
T
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
175  
°C  
°C  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
mW  
P
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
300  
°C/W  
θJA  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
= 100µA  
200  
V
R
F
R
Forward Voltage  
1N459A  
I
I
= 3mA  
= 100mA  
1.0  
1.0  
V
V
F
F
I
Reverse Leakage  
1N459  
V
= 175V  
R
25  
5
nA  
µA  
R
1N459A V = 175V, T = 150°C  
R
A
C
Total Capacitance  
1N459A V = 0, f = 1.0MHz  
6.0  
pF  
T
R
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N459/A Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12

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1N459TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N459_T50R FAIRCHILD

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N459 FAIRCHILD

类似代替

 Small Signal Diode
1N459TR ONSEMI

功能相似

 高电导、低泄漏二极管

与1N459TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N459X MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
1N46 NJSEMI

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1N4603 SKYWORKS

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 		Mixer Diode, 565ohm Z(V) Max, 9.5dB Noise Figure, Silicon
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 		Mixer Diode, 565ohm Z(V) Max, 9.5dB Noise Figure, Silicon
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