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1N459TR

更新时间： 2024-02-27 22:42:38

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
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2页	24K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35,

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技术参数
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1N459TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.13
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N459TR 数据手册

December 2004

1N459/A

Small Signal Diode

DO-35

Color Band Denotes Cathode

Absolute Maximum Ratings *

= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Value

200

Unit

RRM

F(AV)

FSM

500

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

175

°C

STG

Operating Junction Temperature

* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

500

Unit

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

300

°C/W

θJA

Electrical Characteristics

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Conditions

Min.

Max

Units

Breakdown Voltage

= 100µA

200

Forward Voltage

1N459A

= 3mA

= 100mA

1.0

Reverse Leakage

1N459

= 175V

µA

1N459A V = 175V, T = 150°C

Total Capacitance

1N459A V = 0, f = 1.0MHz

6.0

1N459/A Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N459X	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,	获取价格
1N46	NJSEMI	GOLD BOUNDED GERMANUM DIODE	获取价格
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1N4603M	SKYWORKS	Mixer Diode, 565ohm Z(V) Max, 9.5dB Noise Figure, Silicon	获取价格
1N4603MR	SKYWORKS	Mixer Diode, 565ohm Z(V) Max, 9.5dB Noise Figure, Silicon	获取价格