生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.60 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | MIXER DIODE |
最大阻抗: | 565 Ω | 最小阻抗: | 400 Ω |
最大噪声指数: | 8 dB | 最大工作频率: | 18 GHz |
最小工作频率: | 12 GHz | 最高工作温度: | 150 °C |
子类别: | Microwave Mixer Diodes | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4606 | TOSHIBA |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE | |
1N4606 | CENTRAL |
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200mA,70V Through-Hole Diode-Switching Single | |
1N4606FV | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, | |
1N4606HF | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, | |
1N4606HG | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, | |
1N4606HJ | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, | |
1N4606HL | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, | |
1N4606HO | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, | |
1N4606T-10 | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, DO-35, | |
1N4606T-11 | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, DO-35, |