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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.5 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N458AX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| 1N458B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 |
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| 1N458M | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N458R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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| 1N458T26A | TI |
获取价格 |
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N458T26A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1N458T26R | TI |
获取价格 |
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N458T50A | TI |
获取价格 |
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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| 1N458T50A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
|
| 1N458X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
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