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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.64 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N458T26A | TI |
获取价格 |
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N458T26A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
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| 1N458T26R | TI |
获取价格 |
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N458T50A | TI |
获取价格 |
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N458T50A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35 |
|
| 1N458X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N459 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Diode |
|
| 1N459 | NSC |
获取价格 |
High Conductance Low Leakage Diode |
|
| 1N459 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N459 | NJSEMI |
获取价格 |
LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE |
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