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1N458T26A

更新时间： 2024-11-14 20:00:39

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德州仪器 - TI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	36K
描述
0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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1N458T26A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	150 V	最大反向电流：	0.025 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N458T26A 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

1N/FDLL 456/A - 1N/FDLL 459/A

COLOR BAND MARKING

DEVICE 1ST BAND 2ND BAND

FDLL456

FDLL456A BROWN

BROWN

WHITE

BLACK

BROWN

RED

FDLL457 RED

FDLL457A RED

FDLL458 RED

FDLL458A RED

RED

FDLL459A RED

LL-34

FDLL459

THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP

HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION

OF THE CATHODE TERMINAL

DO-35

RED

High Conductance Low Leakage Diode

Sourced from Process 1M.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

W_IV

Working Inverse Voltage

456/A

457/A

458/A

459/A

125

175

200

I_O

Average Rectified Current

DC Forward Current

I_F

500

600

Recurrent Peak Forward Current

i_f

Peak Forward Surge Current

Pulse width = 1.0 second

Pulse width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

i_f(surge)

1.0

4.0

-65 to +200

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

1N / FDLL 456/A - 459/A

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

3.33

300

mW/°C

°C/W

R_θ

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与1N458T26A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N458T26R	TI	获取价格	0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N458T50A	TI	获取价格	0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N458T50A	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N458X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon,
1N459	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Diode
1N459	NSC	获取价格	High Conductance Low Leakage Diode
1N459	MICROSEMI	获取价格	SWITCHING DIODE
1N459	NJSEMI	获取价格	LOW LEAKAGE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODE
1N459	TI	获取价格	0.04A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7
1N459.TR	FAIRCHILD	获取价格	DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode