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1N458ATR

更新时间： 2024-11-15 11:13:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
高电导、低泄漏二极管

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1N458ATR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：O-XALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.27
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-204AHJESD-30 代码：O-XALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W最大重复峰值反向电压：150 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N458ATR 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
1N458A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
A
AXIAL LEAD  
(DO−35)  
(T = 25°C unless otherwise noted) (Notes 1, 2, 3)  
CASE 017AG  
Symbol  
Rating  
Value  
150  
Unit  
V
(Color Band Denotes Cathode)  
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
I
500  
mA  
A
F(AV)  
MARKING DIAGRAM  
I
Non−repetitive Peak Forward Surge  
Current  
FSM  
Pulse Width = 1.0 s  
Pulse Width = 1.0 ms  
1.0  
4.0  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
°C  
°C  
STG  
T
J
Operating Junction Temperature  
175  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode  
may be impaired.  
458A = Specific Device Code  
XY  
= Date Code  
Band Color: Black  
2. These ratings are based on a maximum junction temperature of 200°C.  
3. These are steady limits. The factory should be consulted on applications  
involving pulsed or low duty cycle operations.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL CHARACTERISTICS  
1N458A  
DO−35  
(Pb−Free)  
5,000 Units /  
Bulk  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Max  
500  
300  
Unit  
mW  
1N458ATR  
DO−35  
(Pb−Free)  
10,000 Units /  
Tape & Reel  
P
D
R
°C/W  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
A
(T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol Parameter  
Conditions  
= 100 mA  
R
Min  
Max  
Unit  
V
R
Breakdown  
Voltage  
I
150  
−
V
V
F
Forward  
Voltage  
I = 100 mA  
F
−
1.0  
V
I
R
Reverse  
Leakage  
V
R
V
R
= 125 V  
−
−
25  
5
nA  
mA  
= 125 V, T = 150°C  
A
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 2  
1N458A/D  
 
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N458AX MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon,
1N458B NJSEMI

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 		Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41
1N458M ETC

获取价格

 		silicon diode
1N458R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon,
1N458T26A TI

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 		0.2A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N458T26A FAIRCHILD

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