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1N4448WS-13

更新时间： 2024-11-01 14:46:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2

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1N4448WS-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.07配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N4448WS-13 数据手册

 浏览型号1N4448WS-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4448WS-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: 1N4448WS  
1N4448WS  
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE  
Features  
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
SOD-323  
Dim  
A
Min  
2.30  
1.60  
1.20  
Max  
2.70  
1.80  
1.40  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
Mechanical Data  
·
B
D
H
J
Case: SOD-323  
C
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
G
D
1.05 Typical  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
A
B
E
0.25  
0.20  
0.10  
0.35  
0.40  
0.15  
G
H
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy 42 leadframe). Please See Ordering Information, Note  
5, on Page 2  
C
E
J
0.05 Typical  
0° 8°  
a
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Marking: See Page 2  
All Dimensions in mm  
Type Code: T5  
Weight: 0.004 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
1N4448WS  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 2)  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
¾
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
IR = 2.5mA  
75  
V
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.72  
0.855  
1.0  
0.62  
¾
¾
VFM  
Forward Voltage (Note 1)  
V
¾
1.25  
VR = 75V  
2.5  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
VR = 75V, Tj = 150°C  
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
IRM  
Peak Reverse Current (Note 1)  
¾
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
4.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes: 1. Short duration test pulse used to minimize self-heating.  
2. Part mounted on FR-4 PC board with minimum recommended pad layouts, which can be found on our website at  
http://www/diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. No purposefully added lead.  
DS30096 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
1N4448WS  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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