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1N4448WSRR

更新时间： 2024-09-25 05:56:39
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
200mW High Speed SMD Switching Diode

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1N4448WSRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.1配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

1N4448WSRR 数据手册

 浏览型号1N4448WSRR的Datasheet PDF文件第2页 
1N4148WS/1N4448WS/1N914BWS  
200mW High Speed SMD Switching Diode  
Small Signal Diode  
SOD-323F  
B
C
A
Features  
—Fast switching device(Trr<4.0nS)  
—Surface device type mounting  
—Moisture sensitivity level 1  
D
—Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
—Pb free version and RoHS compliant  
E
F
—Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Unit (mm)  
Unit (inch)  
Dimensions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Mechanical Data  
—Case : Flat lead SOD-323 small outline plastic package  
A
B
C
D
E
F
1.15 1.35 0.045 0.053  
2.30 2.70 0.091 0.106  
0.25 0.40 0.010 0.016  
1.60 1.80 0.063 0.071  
0.80 1.00 0.031 0.039  
0.05 0.20 0.002 0.008  
—Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
—High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
—Polarity : Indicated by cathode band  
—Weight : 4.85±0.5 mg  
Ordering Information  
Part No.  
Packing  
Package  
1NxxxxWS RR  
3Kpcs / 7" Reel  
SOD-323F  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
PD  
Value  
200  
Units  
mW  
V
Power Dissipation  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Forward Current  
Mean Forward Current  
VRSM  
VRRM  
IFRM  
100  
75  
V
300  
mA  
mA  
°C/W  
°C  
IO  
150  
Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 1)  
Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
TJ, TSTG  
500  
-65 to + 150  
Electrical Characteristics  
Type Number  
Symbol  
Min  
Max  
Units  
100  
75  
-
-
IR=100uA  
Reverse Breakdown Voltage  
IR=5uA  
V(BR)  
V
Forward Voltage  
0.62  
0.72  
1.0  
1.0  
25  
1N4448WS, 1N914BWS IF=5.0mA  
VF  
1N4148W  
IF=10.0mA  
S
-
-
-
-
-
-
V
1N4448WS, 1N914BWS IF=100.0mA  
nA  
μA  
pF  
ns  
VR=20V  
Reverse Leakage Current  
VR=75V  
IR  
5.0  
4.0  
4.0  
CJ  
Junction Capacitance  
VR=0, f=1.0MHz  
Trr  
Reverse Recovery Time (Note 2)  
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Notes:2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=10mA, IR=60mA, RL=100Ω, IRR=1mA  
Version : C09  
12

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