5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4151TR
1N4151TR PDF预览

1N4151TR

更新时间： 2024-11-30 13:03:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 信号二极管
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

1N4151TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.59配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.15 A最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

1N4151TR 数据手册

 浏览型号1N4151TR的Datasheet PDF文件第2页 
1N4151  
DO-35  
Color Band Denotes Cathode  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
75  
V
Average Rectified Forward Current  
150  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
0.5  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
C
Tstg  
TJ  
°
Operating Junction Temperature  
175  
C
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
500  
300  
mW  
RθJA  
C/W  
°
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max Units  
VR  
VF*  
IR*  
Breakdown Voltage  
75  
V
IR = 5.0 µA  
Forward Voltage  
Reverse Current  
IF = 50 mA  
1.0  
V
VR = 50 V  
VR = 50 V, TA = 150°C  
VR = 0 V , f = 1.0 MHz  
50  
50  
2.0  
nA  
µA  
pF  
CT  
trr1  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
RL = 100Ω  
4.0  
ns  
trr2  
Reverse Recovery Time  
IF = 10 mA, VR = 6.0 V,  
RL = 100Ω  
2.0  
ns  
*Pulse test : Pulse width=300us, Duty Cycle=2%  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N4151, Rev. A  
12

中文翻译

下载PDF

1N4151TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N4153-1 MICROSEMI

功能相似

 Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package
JANTX1N4153-1 MICROSEMI

功能相似

 Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package

与1N4151TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4151-TR VISHAY

获取价格

 		Small Signal Fast Switching Diodes
1N4151TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4151TR-RECU CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4151TR-RMCU CENTRAL

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4151W WTE

获取价格

 		SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4151W VISHAY

获取价格

 		SMALL SIGNAL DIODES
1N4151W PANJIT

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
1N4151W TYSEMI

获取价格

 		Silicon Epitaxial Planar Diode Fast switching diods. Mini-MELF case with the type disignat
1N4151W SEMTECH

获取价格

 		Silicon Epitaxial Planar Small Signal Diode
1N4151W KEXIN

获取价格

 		SMALL SIGNAL DIODES

与1N4151TR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证