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1N4151W

更新时间： 2024-01-01 12:18:54

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商升特 - SEMTECH		信号二极管光电二极管
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4页	295K
描述
Silicon Epitaxial Planar Small Signal Diode

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1N4151W 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.61
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4151W 数据手册

1N4151W

Silicon Epitaxial Planar Small Signal Diode

Features

•

SOD 123 package

Fast switching

Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)

Parameter

Peak reverse voltage

Symbol

V_RM

Limits

Unit

Reverse voltage

V_R

Average rectified current half wave

Rectification with resistive load f≧50Hz

Surge forward current t<1s Tj=25℃

Power dissipation

Thermal resistance junction to ambient air

Junction temperature

I_O

150*

I_FSM

P_tot

R_thJA

T_J

500

410*

450*

℃/W

℃

150

Storage temperature

T_stg

-65 to +150

℃

* Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Electrical Characteristics (Ta=25℃)

Parameter

Forward voltage

Leakage current

Symbol Min Typ Max Unit

Conditons

V_F

I_R

1.0

I_F=50mA

nA V_R=50V

V_R=20V, T_J=150℃

Tested with 5µA pulses

µA

V_(BR)R75

Reverse breakdown voltage

Capacitance

Reverse recovery time

C_tot

t_rr

pF V_F=V_R=0V

4.0

ns From I_F=10mA through I_R=10mA to I_R=1mA

2.0

From I_F=10mA to I_R=1mA, V_R=6V, R_L=100Ω

f=100MHz, V_RF=2V

η_v

Rectification efficiency

0.45

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Semtech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 12/05/2005

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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