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1N4151W-TP

更新时间： 2024-11-12 20:00:47

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	172K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, SOD-123, 2 PIN

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1N4151W-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	SOD-123, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.11
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.41 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N4151W-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1N4151W

Features

•

Sillcon Epitaxial Planar Diode

Fast switching diode

This diode is also available in other case styles including the

DO-35 case with the type designation 1N4151, and the MiniMELF

case with the type disignation DL4151

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Small Signal

Switching Diode

75 Volts

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

SOD123

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Value

150

500

Unit

^OC

V_R

V_RRM

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

I_F(AV)

I_FSM

T_J,T_STG

Average Rectified Forward Current ⁽¹⁾

Surge Forward Current at t<1s and Tj=25^OC

Operating and Storage Junction Temperature

Range

-55~+150

Thermal Characteristics

Symbol

P_D

Characteristic

Value

410

450

Unit

Power Dissipation at T_amb=25^OC

R_JA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

^OC /W

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Oht erwise Noted

Symbol

Characteristic

Forward Voltage

Min

Max

Unit

DIMENSIONS

DIM

INCHES

MIN

NOTE

V_F

---

1.0

Vdc

(I_F=50mAdc)

MAX

.152

.112

.071

.053

.031

-----

.01

MIN

3.55

2.55

1.40

-----

0.30

0.15

-----

MAX

3.85

2.85

1.80

1.35

.78

-----

.25

.15

Leakage Current

.140

.100

.055

-----

.012

.006

-----

I_R

(V_R=50Vdc)

---

(V_R=20Vdc, T_A=150^OC)

Reverse Breakdown Voltage

(I_R=5.0uAdc)

V_(BR)R

C_T

---

Total Capacitance

(V_R=V_F=0)

2.0

Reverse Recovery Time

(I_F=I_R=10mAdc, I_rr=1.0mAdc)

(I_F=10mAdc, R_L=100OHMS,

V_R=6.0Vdc)

.006

4.0

2.0

T_rr1

---

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

Rectification Efficiency

(f=100MHz, V_RF=2.0Vdc)

0.093

0.45

---

Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

0.048”

0.036”

www.mccsemi.com

Revision: 4

1 of 4

2008/01/30

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4151W-V	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diode
1N4151W-V_12	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diode
1N4151W-V-GS08	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diode
1N4151W-V-GS18	VISHAY	获取价格	Small Signal Fast Switching Diode
1N4151X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon,
1N4152	SEMTECH	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N4152	LUNSURE	获取价格	SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
1N4152	NSC	获取价格	Diode Data
1N4152	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 40V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4152	NJSEMI	获取价格	ULTRA HIGH SPEED SILICON PLANAR EPITAXIAL DIODES

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