5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1N4151W-TP
1N4151W-TP PDF预览

1N4151W-TP

更新时间： 2024-02-17 15:21:48
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, SOD-123, 2 PIN

阅读下载

获取价格

1N4151W-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOD
包装说明：SOD-123, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.11
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.41 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N4151W-TP 数据手册

 浏览型号1N4151W-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4151W-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N4151W-TP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
1N4151W  
Features  
•
•
•
Sillcon Epitaxial Planar Diode  
Fast switching diode  
This diode is also available in other case styles including the  
DO-35 case with the type designation 1N4151, and the MiniMELF  
case with the type disignation DL4151  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Small Signal  
Switching Diode  
75 Volts  
•
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix  
designates RoHS Compliant. See ordering information)  
SOD123  
A
Maximum Ratings  
B
Symbol  
Rating  
Value  
50  
75  
150  
500  
Unit  
V
V
mA  
mA  
OC  
VR  
VRRM  
Reverse Voltage  
Peak Reverse Voltage  
C
E
IF(AV)  
IFSM  
TJ, TSTG  
Average Rectified Forward Current (1)  
Surge Forward Current at t<1s and Tj=25OC  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
-55~+150  
Thermal Characteristics  
H
Symbol  
PD  
Characteristic  
Value  
410  
450  
Unit  
mW  
D
Power Dissipation at Tamb=25OC  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
OC /W  
J
G
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Oht erwise Noted  
Symbol  
Characteristic  
Forward Voltage  
Min  
Max  
Unit  
DIMENSIONS  
DIM  
INCHES  
MIN  
MM  
NOTE  
VF  
---  
1.0  
Vdc  
(IF=50mAdc)  
MAX  
.152  
.112  
.071  
.053  
.031  
-----  
.01  
MIN  
3.55  
2.55  
1.40  
-----  
0.30  
0.15  
-----  
-----  
MAX  
3.85  
2.85  
1.80  
1.35  
.78  
-----  
.25  
.15  
Leakage Current  
A
B
C
D
E
G
H
J
.140  
.100  
.055  
-----  
.012  
.006  
-----  
-----  
IR  
(VR=50Vdc)  
---  
---  
50  
50  
nA  
uA  
(VR=20Vdc, TA=150OC)  
Reverse Breakdown Voltage  
(IR=5.0uAdc)  
V(BR)R  
CT  
75  
---  
---  
V
Total Capacitance  
(VR=VF=0)  
2.0  
pF  
Reverse Recovery Time  
(IF=IR=10mAdc, Irr=1.0mAdc)  
(IF=10mAdc, RL=100OHMS,  
VR=6.0Vdc)  
.006  
4.0  
2.0  
Trr1  
---  
ns  
---  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
Rectification Efficiency  
(f=100MHz, VRF=2.0Vdc)  
0.093  
$*  
0.45  
---  
Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.  
0.048”  
0.036”  
www.mccsemi.com  
Revision: 4  
1 of 4  
2008/01/30  
1234

下载PDF

与1N4151W-TP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4151W-V VISHAY Small Signal Fast Switching Diode

获取价格
1N4151W-V_12 VISHAY Small Signal Fast Switching Diode

获取价格
1N4151W-V-GS08 VISHAY Small Signal Fast Switching Diode

获取价格
1N4151W-V-GS18 VISHAY Small Signal Fast Switching Diode

获取价格
1N4151X MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon,

获取价格
1N4152 SEMTECH SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

获取价格

与1N4151W-TP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证