1N4152

更新时间： 2024-02-10 00:40:57

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		整流二极管信号二极管
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Small Signal Diode

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1N4152 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.88 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	0.05 µA	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4152 数据手册

1N4152

DO-35

Color Band Denotes Cathode

Small Signal Diode

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

200

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

300

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

V_R

V_F

Breakdown Voltage

I = 5.0

Forward Voltage

I_F= 0.1 mA

I_F= 0.25 mA

I_F= 1.0 mA

I_F= 2.0 mA

I_F= 10 mA

I_F= 20 mA

V_R= 30 V

0.49

0.53

0.59

0.62

0.70

0.74

0.55

0.59

0.67

0.70

0.81

0.88

I_R

Reverse Current

V = 30 V, T = 150 C

C_T

t_rr1

Total Capacitance

V_R= 0, f = 1.0 MHz

Reverse Recovery Time

I = I = 10 mA, R = 100

Ω

I_rr= 1.0 mA

t_rr2

Reverse Recovery Time

I_F= 10 mA, V_R= 6.0 V,

R_L= 100 Ω I_rr= 1.0 mA

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4152, Rev. A

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