1N4153

更新时间： 2024-02-22 03:31:54

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		信号二极管
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2页	82K
描述
Small Signal Diode

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1N4153 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.002 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N4153 数据手册

January 2005

1N4153

Small Signal Diode

DO-35

Color Band Denotes Cathode

Absolute Maximum Ratings *

= 25°C unless otherwise noted

Symbol

RRM

Parameter

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Value

Unit

200

F(AV)

FSM

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

175

°C

STG

Operating Junction Temperature

* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

500

Unit

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

300

°C/W

θJA

Electrical Characteristics

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Conditions

Min.

Max

Units

Breakdown Voltage

= 5µA

Forward Voltage

= 0.1mA

= 0.25mA

= 1.0mA

= 2.0mA

= 10mA

= 20mA

0.49

0.53

0.59

0.62

0.70

0.74

0.55

0.59

0.67

0.70

0.81

0.88

Reverse Leakage

= 50V

µA

= 50V, T = 150°C

Total Capacitance

= 0, f = 1.0MHz

rr1

rr2

Reverse Recovery Time

= I = 10mA, R = 100Ω, I = 1.0mA

R L rr

= 10mA, V = 6.0V

R = 100Ω, I = 1.0mA

1N4153 Rev. C

www.fairchildsemi.com

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