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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.88 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.25 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 75 V | 最大反向电流： | 0.05 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4153113 | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| 1N4153116 | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| 1N4153143 | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| 1N4153153 | NXP | DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| 1N4153-1E3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| 1N4153-1R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon, |
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