1N4153-1

更新时间： 2024-01-14 22:37:19

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CDI-DIODE		整流二极管开关
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描述
SWITCHING DIODES

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1N4153-1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.62
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4153-1 数据手册

• 1N4153 and 1N4153-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV

PER MIL-PRF-19500/337

1N4153

and

1N4153-1

• SWITCHING DIODES

• HERMETICALLY SEALED

• METALLURGICALLY BONDED

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

MAXIMUM RATINGS

Junction Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 150 mA @ T = +25°C

Derating: 1.0 mA dc/°C Above T = +25°C

Forward Surge Current: 2A (pk), (tp = 1µs); 0.25A (pk), (tp = 1s)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speciﬁed.

Type

RWM

I = I = 10 mA dc

= 50 V dc

= 25°C

= 50 V dc

= 150°C

= 0; f = 1 Mhz;

= 5 µA

V dc

= 100 ohms

V (pk)

nA dc

µA dc

FIGURE 1

1N4153-1

2.0

FORWARD VOLTAGE LIMITS – ALL TYPES

DESIGN DATA

CASE: Hermetically sealed

glass case per MIL-S-19500/337

D0-35 outline

Limits

= 100 µA dc

= 250 µA dc

= 1 mA dc

= 2 mA dc

= 10 mA dc

= 20 mA dc

V dc

minimum

maximum

0.49

0.55

0.53

0.59

0.67

0.62

0.70

0.81

0.74

0.88

LEAD MATERIAL: Copper clad steel.

LEAD FINISH: Tin / Lead

THERMAL RESISTANCE: (R

250 ˚C/W maximum at L = .375

OJL

THERMAL IMPEDANCE: (Z

˚C/W maximum

): 70

POLARITY: Cathode end is banded.

MOUNTING POSITION: Any.

22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176

PHONE (781) 665-1071

WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com

FAX (781) 665-7379

E-mail: mail@cdi-diodes.com

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