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1N4151W

更新时间： 2024-02-20 10:22:33

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强茂 - PANJIT		二极管开关光电二极管
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3页	56K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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1N4151W 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.61
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4151W 数据手册

1N4150W, 1N4151W

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

POWER

410 - 500 mW

VOLTAGE

50 - 75 Volts

FEATURES

• Fast switching Speed

• Electrically Identical to Standard JEDEC

• High Conductance

• Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

• Flat package SOD-123 in stead mini-MELF package.

MECHANICAL DATA

Case: SOD-123, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx. Weight:0.01 gram

SOD-123

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

1N4150W

1N4151W

UNITS

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

RMS

Maximum Average Forward Current at Ta=25^OC

200

0.5

410

150

0.5

500

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

FSM

Power Dissipation Derate Above 25^OC

TOT

=200 mA

=10 mA

1.0

Maximum Forward Voltage

1.0

Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage

0.1

4.0

0.05

2.0

µA

= 25^OC

Typical Junction Capacitance( Notes1)

Maximum Reverse Recovery (Notes2)

Maximum Thermal Resistance

4.0

2.0

TRR

450

^OC / W

^OC

RθJA

Storage Temperature Range

-55 TO +125

NOTE:

1. CJ at VR=0, f=1MHZ

2.From IF=10mA to IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω

Part Number: 1N4150W, 1N4151W

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