1N4150-1X

更新时间： 2024-02-25 03:42:02

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美高森美 - MICROSEMI		二极管开关
页数	文件大小	规格书
1页	76K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon,

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1N4150-1X 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4150-1X 数据手册

1N4150

Silicon Switching Diode

DO-35 Glass Package

1NNor1

1N4150-1

Applications

Used in general purpose applications,where a controlled forward

characteristic and fast switching speed are important.

DO-35 Glass Package

Features

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Sixsigmaquality

Metallurgicallybonded

BKC'sSigmaBond™plating

for problem free solderability

LL-34/35 MELF SMD available

Full approval to Mil-S-19500/231

Available up to JANTXV-1 levels

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

"S" level screening available to Source Control Drawings

Maximum Ratings

Symbo l

PIV

Value

75 (Min.)

200

Unit

Peak Inverse Voltage

Volts

AverageRectifiedCurrent

I_Avg

mAmps

Amp

Continuous Forward Current

Peak Surge Current (t_peak= 1 sec.)

BKC Power Dissipation T_L=50 ^oC, L = 3/8" from body

Operating Temperature Range

I_Fdc

400

I_peak

0.5

P_tot

500

mWatts

^oC

T_Op

-65 to +200

Storage Temperature Range

T_St

-65 to +200

^oC

Electrical Characteristics @ 25 ^oC

Forward Voltage Drop @ I_F= 1.0 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 10 mA

Forward Voltage Drop @ I_F= 50 mA

Symbol

V _F

Minimum

Maximum

0.62

Unit

0.54

0.66

0.76

Volts

V _F

0.74

Volts

V _F

0.86

Forward Voltage Drop @ I_F= 100 m

Forward Voltage Drop @ I_F= 200 mA

0.80

0.87

0.92

1.0

Volts

V _F

I_r

Reverse Leakage Current @ V = 50 V

0.1 (100 @ 150 C) µA

Volts

p F

Breakdown Voltage @ Ir = 0.1 mA

PIV

C _T

t_rr

Capacitance @ V = 0 V, f = 1mHz

2.5

4.0

6.0

1 0

Reverse Recovery time (note 1)

Reverse Recovery time (note 2,3)

Forward Recovery time (note 4)

nS ecs

t_rr

V _fr

Note 1: Per Method 4031-A with I_F= I_R= 10 to 200 mA, R_L= 100 Ohms,recover to 0.1 If.

Note 2: Per Method 4031-A with I_F= I_R= 200 to 400 mA, R_L= 100 Ohms,recover to 0.1 If.

Note 3: Per Method 4031-A with I_F= 10 microA, Ir = 1.0 mA, recover to 0.1 mA.

Note 4: Per Method 4026 with I_F= 200 mA, Ir = 1.0 mA, recover to 0.1 mA.

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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