1N4150-T

更新时间： 2024-10-01 13:03:31

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RECTRON		整流二极管信号二极管
页数	文件大小	规格书
1页	20K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,

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1N4150-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4150-T 数据手册

RECTRON

SEMICONDUCTOR

1N4150

TECHNICAL SPECIFICATION

1N4150 SIGNAL DIODE

Dimensions (DO-35)

DO-35

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Items

Symbol

Ratings

Unit

Reverse Voltage

Reverse Recovery

Time

trr

26 MIN

0.457

DIA.

0.559

Power Dissipation

3.33mW/°C (25°C)

Forward Current

Junction Temp.

Storage Temp.

500

Tstg

200

-65 to 200

°C

4.2

max.

2.0

DIA.

max.

Mechanical Data

Items

Package

Case

Lead/Finish

Chip

Materials

DO-35

Hermetically sealed glass

Double stud/Solder Plating

Glass Passivated

26 MIN

Dimensions in millimeters

Electrical Characteristics (Ta=25°C)

Ratings

Breakdown Voltage

IR= 5.0uA

Symbol

Ratings

Unit

Peak Forward Surge Current PW= 1sec.

Maximum Forward Voltage

IF= 200mA

IFsurge

1.0

Maximum Reverse Current

VR= 50V

VR= 20V, Tj= 150°C

Maximum Junction Capacitance

VR= 0, f= 1 MHz

0.10

100

trr

2.5

Max Reverse Recovery Time

IF= -IR= 10-200mA, to 0.1 IF

1315 John Reed Court, Industry, CA 91745

Tel: (626) 333-3802 Fax: (626) 330-6296

RECTRON USA

www.rectron.com

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与1N4150-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4150T/R	NXP	获取价格	DIODE 0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
1N4150T-10	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150T-10A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150T11A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,
1N4150T-11A	ROHM	获取价格	0.2A, 50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4150T-12	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4150T26A	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N4150T26R	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N4150-T3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2
1N4150T50A	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35