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1N4150

更新时间： 2024-01-06 09:04:56

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		小信号开关二极管
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2页	174K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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1N4150 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL

1N4150 数据手册

BLGALAXY ELECTRICAL

1N4150

VOLTAGE RANGE: 50 V

CURRENT: 150 m A

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

DO - 35

FEATURES

◇ Silicon epitaxial planar diode

◇ High speed switching diode

◇ 500 mW power dissipation

MECHANICAL DATA

◇ Case: DO-35,glass case

◇ Polarity: Color band denotes cathode

◇ Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

MAXIMUM RATINGS

UNITS

1N4150

V_R

V_RM

I_O

Reverse voltage

Peak reverse voltage

Average forward rectified current V_R=0V

150

I_FSM

P_tot

R_thja

T_j

4.0

Forward surge current at t=1µs

Power dissipation

500

K/W

℃

500

Thermal resistance junction to ambient

Junction temperature

175

T_STG

-65 --- + 175

Storage temperature range

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MIN.

MAX.

UNITS

Forward voltage at I_F=1mA

I_F=10mA

0.54

0.66

0.76

0.82

0.87

0.62

0.74

0.86

0.92

1.0

V_F

I_F=50mA

I_F=100mA

I_F=200mA

0.1

Leakage current @V_R=50V,T_J=25℃

V_R=50V,T_J=150℃

I_R

µA

100

2.5

Capacitance at V_R=0V,f=1MH_Z,V_HF=50mV

Reverse recovery time

I_F=I_R=(10to100mA),i_R=0.1×I_R

R_L=100Ω

C_tot

t_rr

4.0

www.galaxycn.com

Document Number 0268022

BLGALAXY ELECTRICAL

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