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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.62 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4149CSM | SEME-LAB |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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| 1N4149FV | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149HF | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149HG | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149HJ | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149T-10 | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149T-10A | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149T-11A | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149T-16A | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4149T26R | TI |
获取价格 |
DIODE 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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