Datasheet > 1N4149TR

1N4149TR

更新时间： 2024-01-23 12:51:19

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 100V V(RRM)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N4149TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	1.25	Samacsys Description：	ON SEMICONDUCTOR - 1N4149TR - DIODE, SMALL SIGNAL, 100V, DO-204AH
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.5 A
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

1N4149TR 数据手册

December 2004

1N4149

Small Signal Diode

DO-35

Color Band Denotes Cathode

Absolute Maximum Ratings *

= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Value

100

Unit

RRM

500

F(AV)

FSM

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

175

°C

STG

Operating Junction Temperature

* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

500

Unit

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

300

°C/W

θJA

Electrical Characteristics

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Conditions

Min.

Max

Units

Breakdown Voltage

= 5µA

= 100µA

100

Forward Voltage

Reverse Leakage

= 10mA

1.0

= 20V

= 20V, T = 150°C

µA

Total Capacitance

= 0, f = 1.0MHz

Reverse Recovery Time

I = 10mA, V = 6.0V

F R

R = 100Ω, I = 1mA

1N4149 Rev. A

www.fairchildsemi.com

下载PDF

与1N4149TR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4149VE	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
1N4149VG	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
1N4150	PINGWEI	HIGH SPEED SWITCHING DIODES	获取价格
1N4150	SYNSEMI	HIGH SPEED SWITCHING DIODE	获取价格
1N4150	PANJIT	FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES	获取价格
1N4150	MCC	500mW 75 Volt Silicon Epitaxial Diode	获取价格