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1N4149

更新时间: 2024-11-15 07:21:15
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NJSEMI 整流二极管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 106K
描述
HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES

1N4149 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:DO-35, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.64
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4149 数据手册

  

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