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1N4148X-TP-HP

更新时间: 2024-11-15 13:02:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM),

1N4148X-TP-HP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.715 V最大非重复峰值正向电流:2 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.15 A最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YESBase Number Matches:1

1N4148X-TP-HP 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
1N4148  
Features  
·
·
·
Low Current Leakage  
Metalurgically Bonded Construction  
Low Cost  
500mW 100 Volt  
Silicon Epitaxial Diode  
Maximum Ratings  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 35°C/W Junction To Ambient  
DO-35  
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Reverse Voltage  
Peak Reverse  
Voltage  
Average Rectified  
Current  
VR  
VRM  
75V  
100V  
A
IO  
150mA Resistive Load  
Cathode  
Mark  
f > 50Hz  
Power Dissipation  
Junction  
Temperature  
Peak Forward Surge  
Current  
PTOT  
TJ  
500mW  
200°C  
B
D
IFSM  
VF  
IR  
500mA t<1s  
Maximum  
C
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
Typical Junction  
Capacitance  
Reverse Recovery  
Time  
1.0V  
IFM = 10mA;  
TJ = 25°C*  
VR=20Volts  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
VR=75Volts  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
IF=10mA  
25nA  
50mA  
5uA  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
---  
---  
---  
MM  
MIN  
---  
---  
---  
25.40  
CJ  
Trr  
4pF  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.166  
.079  
.020  
---  
MAX  
4.2  
NOTE  
2.00  
.52  
---  
4nS  
VR = 6V  
1.000  
RL=100W  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  

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