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1N4149

更新时间： 2024-01-06 20:19:45
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固锝 - GOOD-ARK 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES

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1N4149 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-35
针数：2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：3.79Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - 1N4149TR - DIODE, SMALL SIGNAL, 100V, DO-204AH
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.5 A
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

1N4149 数据手册

  
1N914 THRU 1N4454  
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES  
Features  
Silicon Epitaxial Planar Diodes  
for general purpose and switching  
The types 1N4149, 1N4447 and 1N4449 are also available  
in glass case DO-34.  
D IM E N S IO N S  
in c h e s  
m m  
D IM  
N o te  
M in .  
M a x .  
0 .1 5 4  
0 .0 7 5  
0 .0 2 0  
-
M in .  
M a x .  
3 .9  
1 .9  
0 .5 2  
-
A
B
C
D
-
-
-
-
-
-
D IM E N S IO N S  
1 .0 8 3  
2 7 .5 0  
in c h e s  
m m  
D IM  
N o te  
M in .  
M a x .  
0 .11 4  
0 .0 7 5  
0 .0 1 7  
-
M in .  
M a x .  
2 .9  
1 .9  
0 .4 2  
-
A
B
C
D
-
-
-
-
-
-
0 .6 3 0  
1 6 .0  
Electrical Characteristics  
Type  
Peak  
Max.  
Max.  
Max.  
Max. forward Max. reverse Max. reverse recovery time  
reverse aver.  
power  
junction voltage drop  
current  
voltage rectified dissip.  
current at 25  
temper-  
ature  
at  
IF mA  
at  
VR  
VRM  
V
IO mA  
Ptot mW  
Tj  
VF  
V
In nA  
trr nS  
Conditions  
V
1N914  
100  
75  
500  
500  
500  
400  
400  
500  
500  
500  
400  
400  
400  
400  
200  
200  
200  
175  
175  
200  
200  
200  
175  
175  
175  
175  
1.0  
10  
25  
25  
20  
Max. 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 4.0 IF=IR=10 to 200 mA, to 0.1 IF  
1)  
1N4149  
100  
50  
150  
200  
150  
150  
1.0  
1.0  
10  
20  
50  
30  
50  
25  
20  
20  
30  
30  
20  
50  
1N4150  
1N4152  
1N4153  
1N4154  
200  
0.10  
0.10  
0.10  
20  
100  
50  
40  
0.55  
0.55  
1.0  
Max. 2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
Max. 4.0 IF=IR=10mA, to IR=1mA  
75  
50  
2)  
35  
150  
100  
25  
1)  
1N4447  
1N4449  
100  
100  
40  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
1.0  
1)  
1.0  
30  
25  
1N4450  
1N4451  
1N4453  
1N4454  
0.54  
0.50  
0.55  
1.0  
0.50  
0.10  
0.01  
10  
50  
40  
50  
Max. 10 IF=IR=10mA, to IR=1mA  
30  
50  
-
-
75  
100  
Max. 4.0 IF=IR=10mA, to IR=1mA  
Notes:  
(1) These diodes are also avaiable in glass case DO-34  
(2) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature  
Parameters for diodes in case DO-34:  
Ptot=300mW  
TJ=175  
TS=-65 to +175  
Rtha 0.4K/mW  
1
1

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与1N4149相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4149CSM SEME-LAB

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 		SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N4149FV ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149HF ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149HG ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149HJ ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149T-10 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149T-10A ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149T-11A ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149T-16A ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N4149T26R TI

获取价格

 		DIODE 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

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