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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1194AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1194E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1194R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1195 | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 25A, 300V V(RRM) |
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| 1N1195 | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1195 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1195A | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1195A | NJSEMI |
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PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
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| 1N1195AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N1195AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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