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1SS372

更新时间： 2024-02-12 22:59:36

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	238K
描述
SCHOTTK Y B AR RIER DIODE

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1SS372 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.1 W	最大重复峰值反向电压：	10 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS372 数据手册

S1S372

SCHOTTKY BARRIER DIODE

SOT-323

FEATURES

 Small Package

 Low Forward Voltage

APPLICATIONS

 High Speed Switching

MARKING: N9

MAXIMUM RATINGS ( T_a=25℃ unless otherwise noted )

Symbol

Parameter

Value

Unit

DC Blocking Voltage

V_R

Forward Continuous Current

Peak Forward Current

100

I_O

200

I_FM

Surge Current@10ms

I_FSM

P_D

Power Dissipation

100

℃/W

℃

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

1000

125

R_θJA

T_j

Storage Temperature

-55~+150

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Reverse voltage

Reverse current

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_R=100μA

V_R=10V

I_F=1mA

μA

0.18

0.3

V_F

Forward voltage

Total capacitance

I_F=5mA

I_F=100mA

0.5

C_tot

V_R=0V,f=1MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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与1SS372相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SS372(T5LCK,F)	TOSHIBA	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 15V V(RRM), Silicon
1SS372_07	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Application
1SS373	TOSHIBA	获取价格	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS373	TYSEMI	获取价格	Small Package Low forward voltage :VF = 0.23V(TYP.) IF = 5mA
1SS373	KEXIN	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS373	SEMTECH	获取价格	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS373WT	SEMTECH	获取价格	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS374	KEXIN	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS374	TYSEMI	获取价格	Small package Low forward voltage :VR =0.23V(Typ). IF = 5mA
1SS374	TOSHIBA	获取价格	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)