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1N4149

更新时间： 2024-01-17 23:52:21
品牌 Logo 应用领域
商朗 - LUNSURE 小信号开关二极管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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1N4149 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-35
针数：2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：3.79Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - 1N4149TR - DIODE, SMALL SIGNAL, 100V, DO-204AH
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.5 A
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

1N4149 数据手册

  
CE  
1N914 THRU 1N4454  
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE  
CHENYI ELECTRONICS  
FEATURES  
. Silicon epitaxial planar diode  
. Fast swithching diodes  
. 1N4149, 1N4447, 1N4449 are also  
avaible in glass case DO-34  
MECHANICAL DATA  
. Case: DO-35 glass case  
. Polarity: Color brand denotes cathode end  
. Weight: Approx. 0.13gram  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Peak  
Max.  
Aver.  
Max.  
Max.  
Max.  
Forward  
Voltage  
drop  
Max.  
reverse  
Power Junction  
Reverse  
Current  
Max. Reverse Recovery Time  
Type  
voltage Rectified Dissip tempera-  
VRM(V) Current At 25 ture  
I(AV)Ma Ptot(mW) TJ  
VF  
at IF  
IR  
at trr(ns)  
Test conditions  
(V) (mA) (nA) VR(V) Max.  
1N914  
1N41491)  
1N4150  
1N4152  
1N4153  
1N4154  
1N44471)  
1N44491)  
1N4450  
1N4451  
1N4453  
1N4454  
100  
100  
50  
75  
150  
200  
150  
150  
1502)  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
500  
500  
500  
400  
400  
500  
500  
500  
400  
400  
400  
400  
200  
200  
200  
175  
175  
200  
200  
200  
175  
175  
175  
175  
1.0  
1.0  
10  
10  
25  
25  
20  
20  
50  
30  
50  
25  
20  
20  
30  
30  
20  
50  
4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
4.0 IF=IR=10 to 200mA, to 0.1 IF  
1.0  
200  
0.10  
0.10  
0.10  
20  
100  
50  
40  
0.55  
0.55  
1.0  
2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
2.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
4.0 IF=10mA, VR=6V, RL=100 , to IR=1mA  
4.0 IF=IR=10mA to, IR=1mA  
75  
50  
35  
100  
25  
100  
100  
40  
1.0  
1.0  
30  
25  
0.54  
0.50  
0.55  
1.0  
0.50  
0.10  
0.01  
10  
50  
40  
50  
10 IF=IR=10mA to, IR=1mA  
30  
50  
75  
100  
4.0  
IF=IR=10mA to, IR=1mA  
Notes: 1.These diodes are also available in glass case DO-34  
2.Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature parameters for diodes  
in case DO-34: Ptot=300mW TSTG=-65 to +175 TJ=175 JA=400K/W  
R
Copyright @ 2000 SHANGHAI CHENYI ELECTRONICS CO.,LTD  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4149CSM SEME-LAB SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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