生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | 其他特性: | N-F, I/P POWER-MAX(PEAK)=250W |
标称衰减: | 60 dB | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COAXIAL | 最大输入功率 (CW): | 33.01 dBm |
JESD-609代码: | e4 | 最大工作频率: | 12400 MHz |
最小工作频率: | 最高工作温度: | 125 °C | |
最低工作温度: | -65 °C | 射频/微波设备类型: | FIXED ATTENUATOR |
端子面层: | GOLD | 最大电压驻波比: | 1.25 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
12N60G | SUNMATE |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
12N60G-A-TA3-T | UTC |
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Transistor | |
12N60G-T2Q-T | UTC |
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12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
12N60G-T3P-T | UTC |
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N-CHANNEL JUNCTION FET | |
12N60G-TA3-T | UTC |
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12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
12N60G-TF1-T | UTC |
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12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
12N60G-TF2-T | UTC |
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N-CHANNEL JUNCTION FET | |
12N60G-TF3-T | UTC |
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12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
12N60G-X-TA3-T | UTC |
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12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET | |
12N60G-X-TF1-T | UTC |
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12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |