11N40-TF3-T

更新时间： 2024-11-09 06:16:39

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描述
400V N-CHANNEL MOSFET

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11N40-TF3-T 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	11.4 A
最大漏源导通电阻：	0.48 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	46 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

11N40-TF3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

11N40

Power MOSFET

400 V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION

The 11N40 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe,

DMOS technology to provide excellent R_DS(ON), low gate charge

and operation with low gate voltages. This device is suitable for

use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES

* RDS(ON) = 0.48Ω @VGS = 10 V

* Ultra low gate charge ( typical 27 nC )

* Low reverse transfer capacitance ( C^RSS= typical 20 pF )

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

11N40L

11N40G

2.Drain

Lead-free:

Halogen-free:

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220F

Packing

Tube

Normal

Lead Free Plating

11N40L-TF3-T

Halogen Free

11N40-TF3-T

11N40G-TF3-T

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-219.Aa

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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