ZXTN4004KQ

更新时间： 2023-09-24 09:17:43

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美台 - DIODES		晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	185K
描述
NPN, 150V, 1A, TO252

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ZXTN4004KQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	5.69
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXTN4004KQ 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTN4004K

Package Outline Dimensions

TO252

Dim Min Max Typ

2.19 2.39 2.29

A1 0.00 0.13 0.08

A2 0.97 1.17 1.07

0.64 0.88 0.783

b2 0.76 1.14 0.95

b3 5.21 5.46 5.33

c2 0.45 0.58 0.531

6.00 6.20 6.10

D1 5.21

−

2.286

−

6.45 6.70 6.58

E1 4.32

−

9.40 10.41 9.91

1.40 1.78 1.59

L3 0.88 1.27 1.08

L4 0.64 1.02 0.83

3X b

2X b2

0°

10°

−

All Dimensions in mm

Suggested Pad Layout

Dimensions

Value (in mm)

11.6

1.5

7.0

2.5

7.0

6.9

2.3

4 of 5

www.diodes.com

December 2011

ZXTN4004K

Document Number: DS35458 Rev: 1 - 2

1 2 345

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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