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ZXTN19100CGTA

更新时间： 2024-09-16 07:42:23

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美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	326K
描述
100V NPN low sat medium power transistor in SOT223

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ZXTN19100CGTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.96
Samacsys Description：	Diodes Inc ZXTN19100CGTA NPN Transistor, 5.5 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5.5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

ZXTN19100CGTA 数据手册

ZXTN19100CG

100V NPN low sat medium power transistor in SOT223

Summary

> 200V

> 100V

> 5V

CEX

CEO

ECO

= 5.5A

C(cont)

< 65mV @ 1A

CE(sat)

= 43mΩ

P = 3.0W

Complementary part number ZXTP19100CG

Description

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation NPN transistor

offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC

circuits and various driving and power management functions.

Features

•

Higher power dissipation SOT223 package

High peak current

Low saturation voltage

Highforward blocking voltage

Applications

•

PSU start up switch

Motor drive

Lamp, relay and solenoid drive

Ordering information

Pinout - top view

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXTN19100CGTA

Device marking

1000

ZXTN19

100C

Issue 1 - February 2008

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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