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ZXMS6005DT8QTA

更新时间： 2024-02-27 16:33:16

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美台 - DIODES		/
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9页	246K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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ZXMS6005DT8QTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	2.17	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	1351032
Samacsys Pin Count：	8	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	Small Outline Packages	Samacsys Footprint Name：	ZXMS6005DT8TA
Samacsys Released Date：	2019-03-05 11:05:25	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.0014 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.13 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMS6005DT8QTA 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

The ZXMS6005DT8 is optimised for use with µC operating from 3.3V and 5V supplies.

Symbol Description

Min

-40

Max

5.5

125

5.5

0.7

Units

°C

V_IN

T_A

Input voltage range

Ambient temperature range

V_IH

V_IL

V_P

High level input voltage for MOSFET to be on

Low level input voltage for MOSFET to be off

Peripheral supply voltage (voltage to which load is referred)

CHARACTERISTICS

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Limited by Over-Current Protection

1ms

Limited

by R_DS(on)

2 active die

100m

10m

100ms

10ms

1 active die

Single Pulse

T_amb=25°C

Limit of s/c protection

See Note (a)(d)

100

125

150

V_DSDrain-Source Voltage (V)

Temperature (°C)

Safe Operating Area

Derating Curve

120

100

T_amb=25°C

Single Pulse

T_amb=25°C

See Note (a)(d)

100

See Note (a)(d)

D=0.5

Single Pulse

D=0.05

D=0.1

D=0.2

100µ 1m 10m 100m

100

100µ 1m 10m 100m

100

Pulse Width (s)

Transient Thermal Impedance

Pulse Power Dissipation

4 of 9

www.diodes.com

June 2010

ZXMS6005DT8

Document Number DS32248 Rev. 1 - 2

1 2 345 6 7...9

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与ZXMS6005DT8QTA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXMS6005DT8TA	DIODES	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE	获取价格
ZXMS6005N8	DIODES	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET	获取价格
ZXMS6005N8-13	DIODES	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
ZXMS6005N8Q	DIODES	60V N-CHANNEL SELF-PROTECTED ENHANCEMENT MODE LOW-SIDE IntelliFET	获取价格
ZXMS6005SG	DIODES	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE	获取价格
ZXMS6005SGQ	DIODES	60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE IntelliFET MOSFET	获取价格